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金属氧化场效应晶体管
中低压 MOSFET
低压 P-ch (-30V ~ -5V)

低压 P-ch (-30V ~ -5V)

P 沟路 MOSFET 选取空穴作为载流子 ,必要栅极到源极的负电能力导通。因而 ,它是高边开关的优先选择;并且栅极驱动单一 ,可降低整体终端成本。

因应消费电子、工业及电机节造、通讯等终端里的低压电池治理系统 / 充电器、防反接;ぁ⒏涸乜亍C-DC 转换器等诸多利用 ,百乐博 提供以下列内外的低压 P 沟路 MOSFETs (沟槽 / 屏蔽栅型沟槽技术平台) 予电路设计工程师选用。
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