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失效分析 致力于提供可满足客户需要的高品质和靠得住半导体解决规划
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    器件失效是指其职能齐全或部门失落、参数漂移,或间歇性出现以上情况 。失效模式是产品失效的表在宏观表 现,有开路、短路、时开时断、职能异常、参数漂移等 。依照失效机理 。失效可分为结构性失效、热失效、电失效、侵蚀失效等 。 失效分析步骤:

    (1)非粉碎性分析:X射线透视查抄、超声扫面查抄、电机能测试、描摹测试、部门成分分析

    (2)粉碎性分析:开封查抄、剖面分析、探针测试、热机能测试、整体成分测试等

    sxfximg01电子数码显微镜查抄样品表观、裂纹、传染、划痕、氧化层缺点等

    sxfximg02X射线检测机查抄键合线,芯片衔接和引线框架,浮泛气泡等

    sxfximg03超声扫描查抄器件间的分层,芯片裂纹

    sxfximg04扫描电镜和能谱分析样品的平面图和横截面显微组织查抄多层样品查抄和精确的临界尺寸丈量;样品表表的分析元素进行定性和半定量分析

    sxfximg05离子研磨机对样品的机械抛光的精密加工,微幼的裂纹和空地

    sxfximg06热点定位分析系统侦测芯片表表异常的漏电失效点,以及样品的短路异常点

    sxfximg07激光开帽机去除化合物,袒露裸片,观察裸片或引线键合缺点

    sxfximg08切片研磨机样品结构的剖面展示,内部结构或者异常点

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